APQ57SN10B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ57SN10B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 473 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 717 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APQ57SN10B datasheet

 ..1. Size:389K  alpha pacific
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APQ57SN10B

DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B 100V/57A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m (max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

 0.1. Size:506K  alpha pacific
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APQ57SN10B

DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m (max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

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