Справочник MOSFET. APQ57SN10B

 

APQ57SN10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ57SN10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 473 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 717 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для APQ57SN10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ57SN10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  alpha pacific
 apq57sn10b.pdf pdf_icon

APQ57SN10B

DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m(max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

 0.1. Size:506K  alpha pacific
 apq57sn10bh.pdf pdf_icon

APQ57SN10B

DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m(max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

Другие MOSFET... APQ4ESN50AE , APQ4ESN50AF , APQ4ESN50AH , APQ4ESN65AF , APQ4ESN65AH , APQ50SN06A , APQ50SN06AD , APQ50SN06AH , 12N60 , APQ57SN10BH , APQ5ESN40A , APQ5ESN40AF , APQ5ESN40AH , APQ65SN06A , APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A .

 

 
Back to Top

 


 
.