Справочник MOSFET. APQ57SN10B

 

APQ57SN10B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APQ57SN10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   trⓘ - Время нарастания: 473 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 717 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для APQ57SN10B

 

 

APQ57SN10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  alpha pacific
 apq57sn10b.pdf

APQ57SN10B APQ57SN10B

DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m(max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

 0.1. Size:506K  alpha pacific
 apq57sn10bh.pdf

APQ57SN10B APQ57SN10B

DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m(max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top