APQ57SN10BH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ57SN10BH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 162 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 83 nC
Tiempo de subida (tr): 473 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 717 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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APQ57SN10BH Datasheet (PDF)
apq57sn10bh.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m(max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o
apq57sn10b.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m(max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta
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History: FTP23N10A
