APQ57SN10BH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ57SN10BH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 473 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 717 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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APQ57SN10BH Datasheet (PDF)

..1. Size:506K alpha pacific
apq57sn10bh.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m(max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

4.1. Size:389K alpha pacific
apq57sn10b.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m(max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

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Liste

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