APQ57SN10BH Todos los transistores

 

APQ57SN10BH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ57SN10BH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 473 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 717 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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APQ57SN10BH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  alpha pacific
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APQ57SN10BH

DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m(max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

 4.1. Size:389K  alpha pacific
 apq57sn10b.pdf pdf_icon

APQ57SN10BH

DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B100V/57A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m(max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

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History: P8010BV | AP9974GH-HF | SVF12N60T | SL10N65F | CEF730G | TPCP8008-H | DMN2400UFB4

 

 
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