APQ57SN10BH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ57SN10BH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 473 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 717 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для APQ57SN10BH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ57SN10BH даташит

 ..1. Size:506K  alpha pacific
 apq57sn10bh.pdf pdf_icon

APQ57SN10BH

DEVICE SPECIFICATION APQ57SN10BH 100V/57A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =18m (max) VGS =10V, ID =28.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

 4.1. Size:389K  alpha pacific
 apq57sn10b.pdf pdf_icon

APQ57SN10BH

DEVICE SPECIFICATION apQ57SN10B 100V/57A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 100V / 57A, RDS(on) =18m (max) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =35A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

Другие IGBT... APQ4ESN50AF, APQ4ESN50AH, APQ4ESN65AF, APQ4ESN65AH, APQ50SN06A, APQ50SN06AD, APQ50SN06AH, APQ57SN10B, 2N7002, APQ5ESN40A, APQ5ESN40AF, APQ5ESN40AH, APQ65SN06A, APQ65SN06AD, APQ65SN06AH, APQ84SN06A, APQ84SN06AD