APQ9ESN20AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ9ESN20AB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de APQ9ESN20AB MOSFET
APQ9ESN20AB Datasheet (PDF)
apq9esn20ab.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ9ESN20AB 200V/9.5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 200V / 9.5A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.34(typ) VGS =10V, ID =4.75A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o
Otros transistores... APQ5ESN40AF , APQ5ESN40AH , APQ65SN06A , APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A , APQ84SN06AD , APQ84SN06AH , IRFB3607 , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , CED05N8 , CED5175 , CED6042 , CEDM7001 .
History: FQPF12N60 | JMSH1552PG | NCE70N1K1I | JMSH1552PP | LNH04R035B | HSBE2738 | JMSH0805PE
History: FQPF12N60 | JMSH1552PG | NCE70N1K1I | JMSH1552PP | LNH04R035B | HSBE2738 | JMSH0805PE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet