APQ9ESN20AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ9ESN20AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-252

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APQ9ESN20AB datasheet

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APQ9ESN20AB

DEVICE SPECIFICATION apQ9ESN20AB 200V/9.5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 200V / 9.5A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.34 (typ) VGS =10V, ID =4.75A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

Otros transistores... APQ5ESN40AF, APQ5ESN40AH, APQ65SN06A, APQ65SN06AD, APQ65SN06AH, APQ84SN06A, APQ84SN06AD, APQ84SN06AH, K4145, CEB05N8, CEB110P03, CEB18N5, CEB30N3, CED05N8, CED5175, CED6042, CEDM7001