APQ9ESN20AB Todos los transistores

 

APQ9ESN20AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ9ESN20AB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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APQ9ESN20AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  alpha pacific
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APQ9ESN20AB

DEVICE SPECIFICATION apQ9ESN20AB 200V/9.5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 200V / 9.5A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.34(typ) VGS =10V, ID =4.75A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

Otros transistores... APQ5ESN40AF , APQ5ESN40AH , APQ65SN06A , APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A , APQ84SN06AD , APQ84SN06AH , IRFB3607 , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , CED05N8 , CED5175 , CED6042 , CEDM7001 .

History: IRFS4115PBF | SLD65R950S2 | STD9HN65M2 | 2SK1723 | OSS60R099PF | RQK2001HQDQA | SVF12N60CF

 

 
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