APQ9ESN20AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ9ESN20AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для APQ9ESN20AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ9ESN20AB даташит

 ..1. Size:371K  alpha pacific
 apq9esn20ab.pdf pdf_icon

APQ9ESN20AB

DEVICE SPECIFICATION apQ9ESN20AB 200V/9.5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 200V / 9.5A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.34 (typ) VGS =10V, ID =4.75A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

Другие IGBT... APQ5ESN40AF, APQ5ESN40AH, APQ65SN06A, APQ65SN06AD, APQ65SN06AH, APQ84SN06A, APQ84SN06AD, APQ84SN06AH, K4145, CEB05N8, CEB110P03, CEB18N5, CEB30N3, CED05N8, CED5175, CED6042, CEDM7001