Справочник MOSFET. APQ9ESN20AB

 

APQ9ESN20AB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ9ESN20AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для APQ9ESN20AB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ9ESN20AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  alpha pacific
 apq9esn20ab.pdf pdf_icon

APQ9ESN20AB

DEVICE SPECIFICATION apQ9ESN20AB 200V/9.5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 200V / 9.5A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.34(typ) VGS =10V, ID =4.75A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

Другие MOSFET... APQ5ESN40AF , APQ5ESN40AH , APQ65SN06A , APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A , APQ84SN06AD , APQ84SN06AH , IRFB3607 , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , CED05N8 , CED5175 , CED6042 , CEDM7001 .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.