CEB18N5 Todos los transistores

 

CEB18N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB18N5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 219 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Tiempo de elevación (tr): 28 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 305 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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CEB18N5 Datasheet (PDF)

1.1. ceb18n5 cep18n5.pdf Size:379K _upd-mosfet

CEB18N5
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CEP18N5/CEB18N5 CEF18N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP18N5 500V 0.27Ω 18A 10V CEB18N5 500V 0.27Ω 18A 10V CEF18N5 500V 0.27Ω 18A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

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