CEB18N5 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEB18N5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEB18N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CEB18N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB18N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  cet
 ceb18n5 cep18n5.pdf pdf_icon

CEB18N5

CEP18N5/CEB18N5CEF18N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP18N5 500V 0.27 18A 10VCEB18N5 500V 0.27 18A 10VCEF18N5 500V 0.27 18A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

Другие MOSFET... APQ65SN06AD , APQ65SN06AH , APQ84SN06A , APQ84SN06AD , APQ84SN06AH , APQ9ESN20AB , CEB05N8 , CEB110P03 , 4N60 , CEB30N3 , CED05N8 , CED5175 , CED6042 , CEDM7001 , CEDM7001E , CEDM7001VL , CEDM7002AE .

History: TMA8N60H | TMD8N60H

 

 
Back to Top

 


 
.