CEB18N5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB18N5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CEB18N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB18N5 даташит

 ..1. Size:379K  cet
 ceb18n5 cep18n5.pdf pdf_icon

CEB18N5

CEP18N5/CEB18N5 CEF18N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP18N5 500V 0.27 18A 10V CEB18N5 500V 0.27 18A 10V CEF18N5 500V 0.27 18A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

Другие IGBT... APQ65SN06AD, APQ65SN06AH, APQ84SN06A, APQ84SN06AD, APQ84SN06AH, APQ9ESN20AB, CEB05N8, CEB110P03, 12N60, CEB30N3, CED05N8, CED5175, CED6042, CEDM7001, CEDM7001E, CEDM7001VL, CEDM7002AE