CED05N8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED05N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm

Encapsulados: TO-251

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CED05N8 datasheet

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CED05N8

CED05N8/CEU05N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 800V, 3.4A, RDS(ON) = 2.9 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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CED05N8

CED05N65/CEU05N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

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CED05N8

CED05P03/CEU05P03 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -15A, RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

Otros transistores... APQ84SN06A, APQ84SN06AD, APQ84SN06AH, APQ9ESN20AB, CEB05N8, CEB110P03, CEB18N5, CEB30N3, IRF1010E, CED5175, CED6042, CEDM7001, CEDM7001E, CEDM7001VL, CEDM7002AE, CEDM7004, CEDM7004VL