CED05N8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED05N8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для CED05N8
CED05N8 Datasheet (PDF)
ced05n8.pdf

CED05N8/CEU05N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES800V, 3.4A, RDS(ON) = 2.9 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
ceu05n65 ced05n65.pdf

CED05N65/CEU05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless
ced05p03 ceu05p03.pdf

CED05P03/CEU05P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE
Другие MOSFET... APQ84SN06A , APQ84SN06AD , APQ84SN06AH , APQ9ESN20AB , CEB05N8 , CEB110P03 , CEB18N5 , CEB30N3 , TK10A60D , CED5175 , CED6042 , CEDM7001 , CEDM7001E , CEDM7001VL , CEDM7002AE , CEDM7004 , CEDM7004VL .
History: BL6N120-F | FQP58N08 | BL9N90-W | DH116N08B | 2N7272R2 | BL7N65A-D | NTBLS001N06C
History: BL6N120-F | FQP58N08 | BL9N90-W | DH116N08B | 2N7272R2 | BL7N65A-D | NTBLS001N06C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet