CEEF02N65G Todos los transistores

 

CEEF02N65G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEEF02N65G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-126F
 

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CEEF02N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  cet
 ceef02n65g.pdf pdf_icon

CEEF02N65G

CEEF02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126F package.GGDSCEE SERIESTO-126FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Unit

Otros transistores... CEDM7001VL , CEDM7002AE , CEDM7004 , CEDM7004VL , CEDM8001 , CEDM8001VL , CEDM8004 , CEDM8004VL , STF13NM60N , CEF05N8 , CEF18N5 , CEF30N3 , CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 .

History: IRFR3411TR | STP141NF55 | SM1A18NSQG | IPL60R180P6 | AFP8206 | STI100N10F7 | 3SK297

 

 
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