CEEF02N65G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEEF02N65G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-126F

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CEEF02N65G datasheet

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CEEF02N65G

CEEF02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-126F package. G G D S CEE SERIES TO-126F S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Unit

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