Справочник MOSFET. CEEF02N65G

 

CEEF02N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEEF02N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-126F
 

 Аналог (замена) для CEEF02N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEEF02N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  cet
 ceef02n65g.pdf pdf_icon

CEEF02N65G

CEEF02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-126F package.GGDSCEE SERIESTO-126FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... CEDM7001VL , CEDM7002AE , CEDM7004 , CEDM7004VL , CEDM8001 , CEDM8001VL , CEDM8004 , CEDM8004VL , STF13NM60N , CEF05N8 , CEF18N5 , CEF30N3 , CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 .

History: CSD16322Q5 | 2SK3019 | VS3628GA

 

 
Back to Top

 


 
.