CEEF02N65G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEEF02N65G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-126F

Аналог (замена) для CEEF02N65G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEEF02N65G даташит

 ..1. Size:387K  cet
 ceef02n65g.pdf pdf_icon

CEEF02N65G

CEEF02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-126F package. G G D S CEE SERIES TO-126F S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Unit

Другие IGBT... CEDM7001VL, CEDM7002AE, CEDM7004, CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL, IRFP250, CEF05N8, CEF18N5, CEF30N3, CEM101, CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03