CEF18N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF18N5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de CEF18N5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEF18N5 datasheet

 ..1. Size:379K  cet
 cef18n5.pdf pdf_icon

CEF18N5

CEP18N5/CEB18N5 CEF18N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP18N5 500V 0.27 18A 10V CEB18N5 500V 0.27 18A 10V CEF18N5 500V 0.27 18A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

Otros transistores... CEDM7004, CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL, CEEF02N65G, CEF05N8, 2SK3568, CEF30N3, CEM101, CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3