Справочник MOSFET. CEF18N5

 

CEF18N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF18N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CEF18N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF18N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  cet
 cef18n5.pdf pdf_icon

CEF18N5

CEP18N5/CEB18N5CEF18N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP18N5 500V 0.27 18A 10VCEB18N5 500V 0.27 18A 10VCEF18N5 500V 0.27 18A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

Другие MOSFET... CEDM7004 , CEDM7004VL , CEDM8001 , CEDM8001VL , CEDM8004 , CEDM8004VL , CEEF02N65G , CEF05N8 , 5N65 , CEF30N3 , CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 .

History: STD3NK60Z | TPCP8103-H | AO4622 | BSC076N04ND | SI2342DS | IRFU3707 | IRHMJ57160

 

 
Back to Top

 


 
.