CEF30N3 Todos los transistores

 

CEF30N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF30N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CEF30N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  cet
 ceb30n3 cef30n3 cep30n3.pdf pdf_icon

CEF30N3

CEP30N3/CEB30N3CEF30N3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP30N3 300V 110m 30A 10VCEB30N3 300V 110m 30A 10VCEF30N3 300V 110m 30A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERI

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History: HFS630 | IRF4104LPBF | IPT007N06N | SIHFPE50 | IPT015N10N5 | P2504EDG | FDC6020C

 

 
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