Справочник MOSFET. CEF30N3

 

CEF30N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF30N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CEF30N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF30N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  cet
 ceb30n3 cef30n3 cep30n3.pdf pdf_icon

CEF30N3

CEP30N3/CEB30N3CEF30N3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP30N3 300V 110m 30A 10VCEB30N3 300V 110m 30A 10VCEF30N3 300V 110m 30A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERI

Другие MOSFET... CEDM7004VL , CEDM8001 , CEDM8001VL , CEDM8004 , CEDM8004VL , CEEF02N65G , CEF05N8 , CEF18N5 , STP80NF70 , CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , CEU5175 .

History: PMGD175XN | SVF18NE50PN | HGN190N15S | OSG65R460AZF | PD515BA | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.