CEF30N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF30N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CEF30N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF30N3 даташит

 ..1. Size:362K  cet
 ceb30n3 cef30n3 cep30n3.pdf pdf_icon

CEF30N3

CEP30N3/CEB30N3 CEF30N3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP30N3 300V 110m 30A 10V CEB30N3 300V 110m 30A 10V CEF30N3 300V 110m 30A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERI

Другие IGBT... CEDM7004VL, CEDM8001, CEDM8001VL, CEDM8004, CEDM8004VL, CEEF02N65G, CEF05N8, CEF18N5, 10N65, CEM101, CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3, CEU5175