CEU5175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU5175

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 68 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 315 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.023 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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CEU5175 Datasheet (PDF)

1.1. ced5175 ceu5175.pdf Size:246K _upd-mosfet

CED5175/CEU5175 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -55V, -40A, RDS(ON) = 23mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 28mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUT

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