CEU5175. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU5175

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CEU5175

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU5175 даташит

 ..1. Size:246K  cet
 ced5175 ceu5175.pdf pdf_icon

CEU5175

CED5175/CEU5175 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -55V, -40A, RDS(ON) = 23m @VGS = -10V. RDS(ON) = 28m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUT

Другие IGBT... CEF30N3, CEM101, CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3, IRF2807, HX2N60, HX4N60, HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T