Справочник MOSFET. CEU5175

 

CEU5175 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU5175
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CEU5175

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU5175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  cet
 ced5175 ceu5175.pdf pdf_icon

CEU5175

CED5175/CEU5175P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-55V, -40A, RDS(ON) = 23m @VGS = -10V. RDS(ON) = 28m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUT

Другие MOSFET... CEF30N3 , CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , IRFB31N20D , HX2N60 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T .

History: SHD225715 | PSMN1R1-40BS

 

 
Back to Top

 


 
.