HX2N60 Todos los transistores

 

HX2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HX2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252
 

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HX2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1215K  sipower
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HX2N60

 0.1. Size:64K  philips
 phx2n60e 3.pdf pdf_icon

HX2N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.3 Ag Isolated packageRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan

Otros transistores... CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , CEU5175 , IRF2807 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T , HY125N10T .

History: AUIRF7736M2TR1 | CJU01N60

 

 
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