Справочник MOSFET. HX2N60

 

HX2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HX2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для HX2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1215K  sipower
 hx2n60.pdf pdf_icon

HX2N60

 0.1. Size:64K  philips
 phx2n60e 3.pdf pdf_icon

HX2N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.3 Ag Isolated packageRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan

Другие MOSFET... CEM101 , CEM2133 , CEM4248 , CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , CEU5175 , IRF2807 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T , HY125N10T .

History: SM6012NSK | CS1N60B3R | 2SK3726-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.