HX4N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HX4N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252

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HX4N60 datasheet

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HX4N60

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HX4N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX4N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.4 A g Isolated package RDS(ON) 2.5 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enh

Otros transistores... CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3, CEU5175, HX2N60, IRFZ24N, HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T