HX4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HX4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252

Аналог (замена) для HX4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX4N60 даташит

 ..1. Size:1222K  sipower
 hx4n60.pdf pdf_icon

HX4N60

 0.1. Size:83K  philips
 phx4n60e.pdf pdf_icon

HX4N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX4N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.4 A g Isolated package RDS(ON) 2.5 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enh

Другие IGBT... CEM2133, CEM4248, CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3, CEU5175, HX2N60, IRFZ24N, HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T