HX5N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HX5N6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de HX5N6 MOSFET
HX5N6 Datasheet (PDF)
Otros transistores... CEP05N8 , CEP110P03 , CEP18N5 , CEP30N3 , CEU5175 , HX2N60 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , K2611 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , HY10N65T , HY110N06T , HY125N10T , HY12N65T , HY13N50T , HY150N075T .
History: FQPF4N50 | SWB015R03VLT | AP3986P | STL22N65M5 | TPA60R330M | SSM6P16FE | SI5418DU
History: FQPF4N50 | SWB015R03VLT | AP3986P | STL22N65M5 | TPA60R330M | SSM6P16FE | SI5418DU



Liste
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