HX5N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HX5N6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HX5N6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HX5N6 даташит

 ..1. Size:929K  sipower
 hx50n06-ta3 hx5n6.pdf pdf_icon

HX5N6

Другие IGBT... CEP05N8, CEP110P03, CEP18N5, CEP30N3, CEU5175, HX2N60, HX4N60, HX50N06-TA3, 8N60, HX70N06-TA3, HX70N6, HY10N65T, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, HY13N50T, HY150N075T