HY10N65T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY10N65T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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HY10N65T datasheet

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HY10N65T

HY10N65T / HY10N65FT 650V / 10A 650V, RDS(ON)=1.0 @VGS=10V, ID=5.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S

Otros transistores... CEP30N3, CEU5175, HX2N60, HX4N60, HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, AO3400A, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, HY13N50T, HY150N075T, HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W