HY10N65T Todos los transistores

 

HY10N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY10N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY10N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  hy
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HY10N65T

HY10N65T / HY10N65FT650V / 10A650V, RDS(ON)=1.0@VGS=10V, ID=5.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

Otros transistores... CEP30N3 , CEU5175 , HX2N60 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , RU6888R , HY110N06T , HY125N10T , HY12N65T , HY13N50T , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W .

History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
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