Справочник MOSFET. HY10N65T

 

HY10N65T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY10N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY10N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY10N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  hy
 hy10n65t.pdf pdf_icon

HY10N65T

HY10N65T / HY10N65FT650V / 10A650V, RDS(ON)=1.0@VGS=10V, ID=5.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

Другие MOSFET... CEP30N3 , CEU5175 , HX2N60 , HX4N60 , HX50N06-TA3 , HX5N6 , HX70N06-TA3 , HX70N6 , RU6888R , HY110N06T , HY125N10T , HY12N65T , HY13N50T , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W .

 

 
Back to Top

 


 
.