HY10N65T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY10N65T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY10N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY10N65T даташит

 ..1. Size:129K  hy
 hy10n65t.pdf pdf_icon

HY10N65T

HY10N65T / HY10N65FT 650V / 10A 650V, RDS(ON)=1.0 @VGS=10V, ID=5.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S

Другие IGBT... CEP30N3, CEU5175, HX2N60, HX4N60, HX50N06-TA3, HX5N6, HX70N06-TA3, HX70N6, AO3400A, HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, HY13N50T, HY150N075T, HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W