HY1N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY1N60D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HY1N60D datasheet

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HY1N60D

HY1N60D / HY1N60M 600V / 1.0A 600V, RDS(ON)=12 @VGS=10V, ID=0.5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger 2 1 1 D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G 3 DS3 S Mechanical In

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