HY1N60D Todos los transistores

 

HY1N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HY1N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  hy
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HY1N60D

HY1N60D / HY1N60M600V / 1.0A600V, RDS(ON)=12@VGS=10V, ID=0.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMechanical In

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History: FQPF7N80 | UPA651TT | UPA622TT | NTB65N02R | SIA415DJ | FDB8878 | SIA414DJ

 

 
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