HY1N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY1N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HY1N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1N60D даташит

 ..1. Size:179K  hy
 hy1n60d.pdf pdf_icon

HY1N60D

HY1N60D / HY1N60M 600V / 1.0A 600V, RDS(ON)=12 @VGS=10V, ID=0.5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger 2 1 1 D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G 3 DS3 S Mechanical In

Другие IGBT... HY110N06T, HY125N10T, HY12N65T, HY13N50T, HY150N075T, HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W, IRF9640, HY2N60D, HY2N60T, HY2N65D, HY2N65T, HY2N70D, HY2N70T, HY3N80T, HY4N60D