Справочник MOSFET. HY1N60D

 

HY1N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HY1N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  hy
 hy1n60d.pdf pdf_icon

HY1N60D

HY1N60D / HY1N60M600V / 1.0A600V, RDS(ON)=12@VGS=10V, ID=0.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMechanical In

Другие MOSFET... HY110N06T , HY125N10T , HY12N65T , HY13N50T , HY150N075T , HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W , AON7403 , HY2N60D , HY2N60T , HY2N65D , HY2N65T , HY2N70D , HY2N70T , HY3N80T , HY4N60D .

History: TPCC8A01-H | AM4953

 

 
Back to Top

 


 
.