HY2N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY2N70D
Código: 2N70D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY2N70D
HY2N70D Datasheet (PDF)
hy2n70d.pdf
SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY2N70D / HY2N70M 700V / 2A700V, RDS(ON)=6.5W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha
hy2n70t.pdf
HY2N70T / HY2N70FT 700V / 2A700V, RDS(ON)=6.5W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1
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Liste
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