HY2N70D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY2N70D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HY2N70D datasheet

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HY2N70D

SINGLE FIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT 1 2MAXIMUM5 10 1 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz ( ) 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125 HY2N70D / HY2N70M 700V / 2A 700V, RDS(ON)=6.5W@VGS=10V, ID=1A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 8.1. Size:146K  hy
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HY2N70D

HY2N70T / HY2N70FT 700V / 2A 700V, RDS(ON)=6.5W@VGS=10V, ID=1A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

Otros transistores... HY18N20D, HY18N20T, HY18N50W, HY1N60D, HY2N60D, HY2N60T, HY2N65D, HY2N65T, RU7088R, HY2N70T, HY3N80T, HY4N60D, HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, HY4N70D, HY4N70T