Справочник MOSFET. HY2N70D

 

HY2N70D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY2N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HY2N70D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY2N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  hy
 hy2n70d.pdf pdf_icon

HY2N70D

SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY2N70D / HY2N70M 700V / 2A700V, RDS(ON)=6.5W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 8.1. Size:146K  hy
 hy2n70t.pdf pdf_icon

HY2N70D

HY2N70T / HY2N70FT 700V / 2A700V, RDS(ON)=6.5W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

Другие MOSFET... HY18N20D , HY18N20T , HY18N50W , HY1N60D , HY2N60D , HY2N60T , HY2N65D , HY2N65T , MMD60R360PRH , HY2N70T , HY3N80T , HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T .

History: BL6N70A-P

 

 
Back to Top

 


 
.