HY3N80T Todos los transistores

 

HY3N80T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3N80T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY3N80T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
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HY3N80T

HY3N80T / HY3N80FT 800V / 3A800V, RDS(ON)=4.8W@VGS=10V, ID=1.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Otros transistores... HY18N50W , HY1N60D , HY2N60D , HY2N60T , HY2N65D , HY2N65T , HY2N70D , HY2N70T , HY1906P , HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , HY6N60D .

History: 2N80L-TA3-T | SLW18N50C | SUP90N08-7M7P | CJP04N60 | BRCS055N08SHRA | AOD2146 | AFP8943

 

 
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