HY3N80T - аналоги и даташиты транзистора

 

HY3N80T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3N80T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY3N80T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3N80T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
 hy3n80t.pdf pdf_icon

HY3N80T

HY3N80T / HY3N80FT 800V / 3A800V, RDS(ON)=4.8W@VGS=10V, ID=1.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие MOSFET... HY18N50W , HY1N60D , HY2N60D , HY2N60T , HY2N65D , HY2N65T , HY2N70D , HY2N70T , AO4468 , HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , HY6N60D .

History: IPP65R190CFDA | IPP60R040C7 | IPP100N06S3L-04

 

 
Back to Top

 


 
.