HY3N80T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY3N80T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY3N80T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3N80T даташит

 ..1. Size:145K  hy
 hy3n80t.pdf pdf_icon

HY3N80T

HY3N80T / HY3N80FT 800V / 3A 800V, RDS(ON)=4.8W@VGS=10V, ID=1.5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие IGBT... HY18N50W, HY1N60D, HY2N60D, HY2N60T, HY2N65D, HY2N65T, HY2N70D, HY2N70T, AOD4184A, HY4N60D, HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, HY4N70D, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D