HY4N70D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY4N70D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HY4N70D datasheet

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HY4N70D

SINGLE FIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT 1 2MAXIMUM5 10 1 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz ( ) 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125 HY4N70D / HY4N70M 700V / 4A 700V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

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HY4N70D

HY4N70T / HY4N70FT 700V / 4A 700V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

Otros transistores... HY2N65T, HY2N70D, HY2N70T, HY3N80T, HY4N60D, HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, IRF730, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T