HY4N70D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY4N70D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HY4N70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4N70D даташит

 ..1. Size:167K  hy
 hy4n70d.pdf pdf_icon

HY4N70D

SINGLE FIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT 1 2MAXIMUM5 10 1 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz ( ) 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125 HY4N70D / HY4N70M 700V / 4A 700V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 8.1. Size:145K  hy
 hy4n70t.pdf pdf_icon

HY4N70D

HY4N70T / HY4N70FT 700V / 4A 700V, RDS(ON)=2.8W@VGS=10V, ID=2A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

Другие IGBT... HY2N65T, HY2N70D, HY2N70T, HY3N80T, HY4N60D, HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, IRF730, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T