HY5N50T Todos los transistores

 

HY5N50T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY5N50T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY5N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
 hy5n50t.pdf pdf_icon

HY5N50T

HY5N50T / HY5N50FT 500V / 5A500V, RDS(ON)=1.5W@VGS=10V, ID=2.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

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History: APM2304A | AOTF11C60 | AOTF11N60 | IPP60R180C7 | IPP60R230P6 | AOTF11N70 | HAT3006R

 

 
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