Справочник MOSFET. HY5N50T

 

HY5N50T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5N50T
   Маркировка: 5N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY5N50T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
 hy5n50t.pdf pdf_icon

HY5N50T

HY5N50T / HY5N50FT 500V / 5A500V, RDS(ON)=1.5W@VGS=10V, ID=2.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFB7534 | HFS5N70S

 

 
Back to Top

 


 
.