Справочник MOSFET. HY5N50T

 

HY5N50T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY5N50T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  hy
 hy5n50t.pdf pdf_icon

HY5N50T

HY5N50T / HY5N50FT 500V / 5A500V, RDS(ON)=1.5W@VGS=10V, ID=2.5AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие MOSFET... HY2N70T , HY3N80T , HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T , IRF3205 , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T .

History: IRF1018EPBF

 

 
Back to Top

 


 
.