HY6N60T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY6N60T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de HY6N60T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HY6N60T datasheet

 ..1. Size:106K  hy
 hy6n60t.pdf pdf_icon

HY6N60T

HY6N60T / HY6N60FT 600V / 6.0A 600V, RDS(ON)=1.8 @VGS=10V, ID=3.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S

 8.1. Size:185K  hy
 hy6n60d.pdf pdf_icon

HY6N60T

HY6N60D / HY6N60M 600V / 6.0A 600V, RDS(ON)=1.8 @VGS=10V, ID=3.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 2 1 1 D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G 3 DS3 S Mec

Otros transistores... HY4N60D, HY4N60T, HY4N65D, HY4N65T, HY4N70D, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, IRF840, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T