Справочник MOSFET. HY6N60T

 

HY6N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY6N60T
   Маркировка: 6N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY6N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY6N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  hy
 hy6n60t.pdf pdf_icon

HY6N60T

HY6N60T / HY6N60FT600V / 6.0A600V, RDS(ON)=1.8@VGS=10V, ID=3.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

 8.1. Size:185K  hy
 hy6n60d.pdf pdf_icon

HY6N60T

HY6N60D / HY6N60M600V / 6.0A600V, RDS(ON)=1.8@VGS=10V, ID=3.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMec

Другие MOSFET... HY4N60D , HY4N60T , HY4N65D , HY4N65T , HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , HY6N60D , IRF840 , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T .

History: AONV420A70 | AONR36328 | AONR62818 | MDP12N50TH | MDI5N40RH | ZXMN6A25G | MDP13N50TH

 

 
Back to Top

 


 
.