Справочник MOSFET. HY6N60T

 

HY6N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY6N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY6N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  hy
 hy6n60t.pdf pdf_icon

HY6N60T

HY6N60T / HY6N60FT600V / 6.0A600V, RDS(ON)=1.8@VGS=10V, ID=3.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDS

 8.1. Size:185K  hy
 hy6n60d.pdf pdf_icon

HY6N60T

HY6N60D / HY6N60M600V / 6.0A600V, RDS(ON)=1.8@VGS=10V, ID=3.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS21 1D G 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G3DS3SMec

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SM3119NAU | AP0904GYT-HF | 2SK3990-01SJ | SST405 | NCE65TF130 | MTP10N25 | AM30N08-80D

 

 
Back to Top

 


 
.