HY80N075T Todos los transistores

 

HY80N075T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY80N075T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY80N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  hy
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HY80N075T

HY80N075T 75V / 80A75V, RDS(ON)=8.0mW@VGS=10V, ID=40AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor ControlDrain In compliance with EU Ro

 7.1. Size:222K  hy
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HY80N075T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY80N07T 65V / 80A65V, RDS(ON)=7.2mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( F

Otros transistores... HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , 50N06 , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R .

History: AFP3407AS | CM8N80F | CTD03N003 | VBA3102M | AP4575GM-HF | SSM3K03FE | AP3700M

 

 
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