HY80N075T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY80N075T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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HY80N075T datasheet

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HY80N075T

HY80N075T 75V / 80A 75V, RDS(ON)=8.0mW@VGS=10V, ID=40A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor Control Drain In compliance with EU Ro

 7.1. Size:222K  hy
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HY80N075T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON- T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE ( ) 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY80N07T 65V / 80A 65V, RDS(ON)=7.2mW@VGS=10V, ID=30A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( F

Otros transistores... HY4N70D, HY4N70T, HY5N50T, HY6N60D, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, 50N06, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R