Справочник MOSFET. HY80N075T

 

HY80N075T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY80N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY80N075T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY80N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  hy
 hy80n075t.pdf pdf_icon

HY80N075T

HY80N075T 75V / 80A75V, RDS(ON)=8.0mW@VGS=10V, ID=40AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( FOM ) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for DC-DC Converter, Off-line UPS, Automotive System, Solenoid and Motor ControlDrain In compliance with EU Ro

 7.1. Size:222K  hy
 hy80n07t.pdf pdf_icon

HY80N075T

SINGLE FIG.SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz DERATING CURVE FIG. 2 MAXIMUM NON-T1 FORWARD CURRENT AMBIENT TEMPERATURE () 1 2 5 10 1 25 50 75 10 20 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 100 125 100 HY80N07T 65V / 80A65V, RDS(ON)=7.2mW@VGS=10V, ID=30AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB Low On-State Resistance Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product ( F

Другие MOSFET... HY4N70D , HY4N70T , HY5N50T , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , 50N06 , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R .

History: AM4390N | 2SK3027 | AP70SL250AI | FDV301NNB9V005 | AP80SL400DI | SI2314 | 6N65KG-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.