HY8N50T Todos los transistores

 

HY8N50T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY8N50T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY8N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  hy
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HY8N50T

HY8N50T / HY8N50FT500V / 8.0A500V, RDS(ON)=0.9@VGS=10V, ID=4.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, PFC and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDSSMechanica

Otros transistores... HY5N50T , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , IRFZ44 , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , RU190N10Q .

History: SWP9N25D | SI2371EDS | TPB70R450C | HM25P15 | VBMB155R18 | SIA913ADJ | TPM603NT3

 

 
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