Справочник MOSFET. HY8N50T

 

HY8N50T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY8N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY8N50T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY8N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  hy
 hy8n50t.pdf pdf_icon

HY8N50T

HY8N50T / HY8N50FT500V / 8.0A500V, RDS(ON)=0.9@VGS=10V, ID=4.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, PFC and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDSSMechanica

Другие MOSFET... HY5N50T , HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , IRFZ44 , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , RU190N10Q .

History: AOB9N70L | IXTH34N65X2 | 6706A | PHD66NQ03LT | AONS21357 | PE610SA | VWM270-0075X2

 

 
Back to Top

 


 
.