IRFS820A Todos los transistores

 

IRFS820A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS820A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRFS820A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  samsung
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IRFS820A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va

 7.1. Size:284K  1
 irfs820 irfs821.pdf pdf_icon

IRFS820A

 7.2. Size:310K  1
 irfs820 irfs821 irfs822 irfs823.pdf pdf_icon

IRFS820A

 7.3. Size:866K  fairchild semi
 irf820b irfs820b.pdf pdf_icon

IRFS820A

November 2001IRF820B/IRFS820B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.5A, 500V, RDS(on) = 2.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: SSF2316E | TPCP8106 | FIR20N60FG | VS3640DE

 

 
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