IRFS820A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS820A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS820A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS820A даташит

 ..1. Size:502K  samsung
 irfs820a.pdf pdf_icon

IRFS820A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 2.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Va

 7.1. Size:284K  1
 irfs820 irfs821.pdf pdf_icon

IRFS820A

 7.2. Size:310K  1
 irfs820 irfs821 irfs822 irfs823.pdf pdf_icon

IRFS820A

 7.3. Size:866K  fairchild semi
 irf820b irfs820b.pdf pdf_icon

IRFS820A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741, IRFS742, IRFS743, IRFS750A, IRFS820, IRF1405, IRFS821, IRFS822, IRFS823, IRFS830, IRFS830A, IRFS831, IRFS832, IRFS833