HY8N65T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY8N65T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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HY8N65T datasheet

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HY8N65T

HY8N65T / HY8N65FT 650V / 8A 650V, RDS(ON)=1.4 @VGS=10V, ID=4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S S

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