Справочник MOSFET. HY8N65T

 

HY8N65T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY8N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для HY8N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY8N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  hy
 hy8n65t.pdf pdf_icon

HY8N65T

HY8N65T / HY8N65FT650V / 8A650V, RDS(ON)=1.4@VGS=10V, ID=4.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS112 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G33DDSS

Другие MOSFET... HY6N60D , HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , IRFP460 , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , RU190N10Q , RU190N10R .

History: PS03P20SA | AONP38324U | SIHFI9610G | GSM1023

 

 
Back to Top

 


 
.