HY8N65T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY8N65T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY8N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY8N65T даташит

 ..1. Size:126K  hy
 hy8n65t.pdf pdf_icon

HY8N65T

HY8N65T / HY8N65FT 650V / 8A 650V, RDS(ON)=1.4 @VGS=10V, ID=4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low ON Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS 1 1 2 2 In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives G G 3 3 D D S S

Другие IGBT... HY6N60D, HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, IRF640, HY8N70T, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R, RU16P8M4, RU190N10Q, RU190N10R