HY8N70T Todos los transistores

 

HY8N70T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY8N70T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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HY8N70T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  hy
 hy8n70t.pdf pdf_icon

HY8N70T

HY8N70T / HY8N70FT 700V / 8A700V, RDS(ON)=1.2W@VGS=10V, ID=4.0AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Otros transistores... HY6N60T , HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , IRF1404 , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , RU190N10Q , RU190N10R , RU190N10S .

History: SM2F07NSU | STV200N55F3 | CED3172 | 2SK1546 | CEU83A3

 

 
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