HY8N70T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY8N70T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для HY8N70T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY8N70T даташит

 ..1. Size:144K  hy
 hy8n70t.pdf pdf_icon

HY8N70T

HY8N70T / HY8N70FT 700V / 8A 700V, RDS(ON)=1.2W@VGS=10V, ID=4.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features TO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1

Другие IGBT... HY6N60T, HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, IRF1404, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R, RU16P8M4, RU190N10Q, RU190N10R, RU190N10S