RU1088R Todos los transistores

 

RU1088R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1088R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de RU1088R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU1088R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  ruichips
 ru1088r.pdf pdf_icon

RU1088R

RU1088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/80A RDS (ON)=10m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

Otros transistores... HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , IRFB4110 , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , RU190N10Q , RU190N10R , RU190N10S , RU1C001UN .

 

 
Back to Top

 


 
.