RU1088R Todos los transistores

 

RU1088R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1088R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 510 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1088R

 

 

RU1088R Datasheet (PDF)

1.1. ru1088r.pdf Size:325K _upd-mosfet

RU1088R
RU1088R

RU1088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 100V/80A RDS (ON)=10mΩ(Typ.) @ VGS=10V • Ultra Low On-Resistance • Exceptional dv/dt capability • Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 • 100% avalanche tested • Lead Free and Green Available Applications ·Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

Back to Top

 


RU1088R
  RU1088R
  RU1088R
  RU1088R
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |

 

 

Back to Top