RU1088R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1088R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU1088R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1088R даташит

 ..1. Size:325K  ruichips
 ru1088r.pdf pdf_icon

RU1088R

RU1088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/80A RDS (ON)=10m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

Другие IGBT... HY75N075T, HY75N10T, HY7N80T, HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, IRLZ44N, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R, RU16P8M4, RU190N10Q, RU190N10R, RU190N10S, RU1C001UN