Справочник MOSFET. RU1088R

 

RU1088R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1088R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1088R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1088R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  ruichips
 ru1088r.pdf pdf_icon

RU1088R

RU1088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/80A RDS (ON)=10m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

Другие MOSFET... HY75N075T , HY75N10T , HY7N80T , HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , IRFP260N , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , RU190N10Q , RU190N10R , RU190N10S , RU1C001UN .

History: 2SK3924-01SJ | HGA080N10AL | AUIRFS4610 | AOB256L | APM7314K | AOI8N25 | RJK2006DPF

 

 
Back to Top

 


 
.